值来调理驱动电流的档位，然后优化体系的EMI功用和功率。这种功用一般集成在中，如办理芯片U8733，集成E-GaN和驱动电流分档功用，选用此芯片，体系规划者能够精确的经过详细需求挑选最优的作业形式，削减电磁搅扰（EMI），一起优化体系的全体功用和待机功耗。
电源办理芯片U8733集成高压E-Mode GaN FET，为保证GaN FET作业的可靠性和高体系功率，芯片内置了高精度、高可靠性的驱动电路，驱动电压为VDRV (典型值 6.4V)。EMI功用为高频交直流转化器的规划难点，为此U8733经过DEM管脚集成了驱动电流分档装备功用。经过装备DEM管脚分压电阻值，能够再一次进行挑选不同档位的驱动电流，从而调理GaNFET的注册速度，体系规划者能够得到最优的EMI功用和体系功率的平衡。详细分压电阻值可参照参数表。U8733系列还集成轻载SR应力优化功用，在驱动电流装备为榜首、第二、第三档位时，当芯片作业于轻载形式时，将原边注册速度折半，减小空载时SR的Vds应力过冲。
电源办理芯片U8733仍是一款集成E-GaN的高频高功用准谐振形式交直流转化功率开关，能够让充电器在体积缩小的情况下，仍然可提供较高的充电功率，比较传统充电器，体积大幅减小，但充电速度却更快，为人们的日子带来了极大便当，能够一试！
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